【中国白银网11月12日】11月11日， 三安光电 发布发布2019年度非公开发行A股股票预案，拟非公开发行不超过8.16亿股，募集资金总金额不超过70亿元，投入半导体研发与产业化项目。
预案披露，本次非公开发行拟募集资金总额为不超过700,000万元，其中，先导高芯拟认购金额为500,000万元， 格力电器 拟认购金额为200,000万元。本次非公开发行股票的数量为募集资金总额除以本次非公开发行股票的发行价格，且不超过本次发行前总股本4,078,424,928股的20%，即不超过815,684,985股（含815,684,985股）。
另外，本次发行完成后，按照非公开发行的股票数量上限计算，先导高芯持股将超过5%，构成公司关联方；格力电器持股比例低于5%，不构成公司关联方。
据披露，先导高芯成立于 2019 年 10 月 28 日，主营业务为以自有资金进行股权投资、产业投资。截至本预案出具日，先导高芯除参与本次非公开发行股票外，未实际开展其他业务。
本次非公开发行募集资金总额扣除发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：
公告显示，半导体研发与产业化项目（一期）建设主要包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓业务板块、砷化镓业务板块、特种封装业务板块。本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片；高端砷化镓 LED 外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。其中，各业务板块具体的产能规划如下：
1、氮化镓业务板块：（1）年产氮化镓芯片 769.20 万片，其中：第五代显示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60 万片/年、超高效节能芯片 530.80 万片/年、紫外（UV）芯片 30.80 万片/年、大功率芯片 46.00 万片/年；（2）PSS 衬底年产 923.40 万片；（3）大功率激光器年产 141.80 万颗。
2、砷化镓业务板块：（1）年产 GaAs LED 芯片 123.20 万片，其中：第五代显示芯片（Mini/Micro LED）17.60 万片/年、ITO 红光芯片 34.90 万片/年、RS 红光芯片 19.10 万片/年、高功率红外产品 14.20 万片/年、植物生长灯芯片 14.40万片/年、大功率户外亮化芯片 7.20 万片/年、车用级芯片 7.00 万片/年、医疗健康芯片 8.80 万片/年；（2）年产太阳电池芯片 40.50 万片，其中：商用卫星电池 13.50 万片/年、临近空间装置 27.00 万片/年。
3、特种封装业务板块：（1）UV LED 封装 81.40kk/年；（2）Mini LED 芯片级封装 8,483.00 kk/年；（3）车用级 LED 封装 57.80kk/年；（4）大功率 LED 封装 63.20kk/年；（5）IR LED 封装 39.00kk/年。
公告显示，本次募投项目的实施主体为公司全资子公司泉州三安半导体科技有限公司，公司将通过向泉州三安增资的方式实施本次募投项目。项目建设期为 4 年，达产期为 7 年，预计达产年销售收入 824,393.32 万元（不含税），达产年净利润 199,176.70 万元。
三安光电表示，公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用，以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。本次募投项目的实施有利于优化公司产品结构，进一步巩固公司在 LED 行业的固有优势，提升自身市场份额，提升公司持续盈利能力和市场竞争能力，不会导致公司业务和资产的整合。
此外，本次非公开发行完成后，公司资本实力将大大增强，净资产将大幅提高，同时公司资产负债率也将有一定幅度的下降，有利于增强公司资产结构的稳定性和抗风险能力。
（文章来源：CBC金属网）
